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問1
(1)
ア:⑨ マルチ
イ:⑮ ディスパッチ
ウ:⑥ タイムスライス
エ:③ デッドロック

補足

・プロセスの状態遷移
 

①プロセスの生成
②プロセスがCPUの使用権を取得し実行状態に遷移(ディスパッチ)
③割込みにより他のプロセスにCPUの使用権が移った場合の状態遷移
④入出力待ちの状態になると待機状態に遷移
⑤入出力処理が終了すると実行可能状態に遷移
⑥プロセスの消滅

・デッドロックの例
本問題の例を図にすると以下のようになる。プロセス１で「資源A→資源B→完了」、プロセス２で「資源B→資源A→完了」という処理が行われる場合、①②でプロセス１、２がそれぞれ資源Aと資源Bを占有してしまうと、③④でプロセス１、２共に資源の解放待ちになってしまいプロセスが先に進まなくなってしまう。これをデッドロックという。

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(2)
答え:③
解説
① DRAMは、ダイオード(正:トランジスタ)とコンデンサで構成されており、情報の読出しと書き込みはダイオード(正:トランジスタ)によって行われる。

②強誘電体をメモリセルに採用した不揮発性メモリは、SRAM(正:FeRAM)といわれ、DRAMと比較して、一般に、高速に動作し低消費電力である。

③正しい

④ROMの一種であるマスクROMは、製造後においてユーザによる書換えが可能(正:不可能)である。


補足
SRAMとDRAMの違い

破壊読出し:読出し時に、書き込まれていた情報が消えてしまう事。情報を保持したい場合は、読み込んだ後に再度書き込みが必要になってしまう
リフレッシュ:情報を保持するために、定期的に電荷を注入する処理
フリップフロップ回路:「0」、[1]の1bitの情報を保持するための記録回路。リフレッシュ(定期的な再書き込み動作)を必要とせずに安定的に情報を保持できることから、SRAMとして用いられる。


・その他のメモリについて
FeRAM（Ferroelectric Random Access Memory：強誘電体メモリ）：強誘電体の持つヒステリシス特性を利用しており、低消費電力で、高速かつ低電圧での読出し、書込みが可能であることから、非接触型ICカードなどに使用されている。
マスクROM:製品の製造時に書き込まれ、書き換えはできない。
PROM (Programmable ROM) :製造後1回だけ電気的に書き込むことが可能
EPROM(Erasable Programmable Read Only Memory):消去可能(ただし、一括消去)。書き込みは電気、消去は紫外線を使用。
EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory）:電気的に書き込み・消去が可能。消去も部分的に行える。

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(3)
答え:③
解説
①②④正しい

③USB3 .0の転送速度は、USB2.0の転送速度の約10倍である。また、USB2.0とUSB3.0は物理的なインタフェースにおいて完全な互換性があり、USB2.0用のケーブルを使用してUSB3.0の高いパフォーマンスを得ることができる(※)。
(※赤い箇所は間違え。USB3.0は、USB2.0の下位互換。USB3.0用のケーブルを使用して、USB2.0規格での通信を行うことを可能だが、USB2.0用のケーブルを使用して、USB3.0規格での通信を行うことはできない。)

補足
・USB規格の伝送速度
・USBはひとつのバスに最大127台接続することが可能

・ディスプレイの接続規格
VGA …アナログ (別名:D-SUB)
DVI
├─DVI‐I … デジタル、アナログ信号に対応
└─DVI-D … デジタル信号のみに対応

Bluetooth：PC、スマートフォンとその周辺機器(マウス・キーボード、オーディオ機器など)との近距離通信に使われる。1台のマスターに対して7台のスレーブの同時接続が可能。

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(4)
答え:③
解説
①②④正しい

③ 文書、画像、音声、スタイルなどのWebページ内のコンテンツ部品をオブジェクトとして定義し、スクリプトを用いて制御するインタフェースは、CORBA(正:DOM)といわれる。


補足
埋め込み型でスクリプトを利用する場合は、HTMLファイルの中に